- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p.ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
Détention brevets de la classe H10B 61/00
Brevets de cette classe: 669
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
191 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
94 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
45 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
42 |
| TDK Corporation | 6306 |
39 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
29 |
| JPMorgan Chase Bank, National Association | 10964 |
13 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
13 |
| Everspin Technologies, Inc. | 474 |
12 |
| Intel Corporation | 45621 |
9 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
9 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
8 |
| IMEC VZW | 1410 |
8 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
8 |
| Avalanche Technology, Inc. | 299 |
5 |
| IBM United Kingdom Limited | 4467 |
5 |
| Tohoku University | 2526 |
5 |
| Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 220 |
5 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
4 |
| Autres propriétaires | 121 |